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熔融石英坩堝
新聞來(lái)源：點(diǎn)擊數(shù)：2085 更新時(shí)間：2014/4/2 8:52:27 收藏此頁(yè)

1．熔融石英坩堝可在1450度以下使用，分透明和不透明兩種。用電弧法制的半透明石英坩堝是拉制大直徑單晶硅，發(fā)展大規(guī)模集成電路必不可少的基礎(chǔ)材料。當(dāng)今，世界半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)達(dá)國(guó)家已用此坩堝取代了小的透明石英坩堝。他具有高純度、耐溫性強(qiáng)、尺寸大精度高、保溫性好、節(jié)約能源、質(zhì)量穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。　　2、不能和HF接觸，高溫時(shí)，極易和苛性堿及堿金屬的碳酸鹽作用。　　3．石英坩堝適于用K2S2O7，KHSO4作熔劑熔融樣品和用Na2S207(先在212度烘干)作熔劑處理樣品。　　4．石英質(zhì)脆，易破，使用時(shí)要注意。　　5．除HF外，石英玻璃坩堝普通稀無(wú)機(jī)酸可用作清洗液。　　國(guó)內(nèi)常用拉制單晶硅用石英坩堝18英寸和20英寸也有廠家使用22及以上的坩堝。目前國(guó)內(nèi)坩堝生產(chǎn)廠家生產(chǎn)的18和20英寸坩堝技術(shù)都比較成熟。其生產(chǎn)使用原料石英砂主要由美國(guó)進(jìn)口。國(guó)內(nèi)產(chǎn)的石英砂純度都達(dá)不到其要求。其原料里雜質(zhì)在生產(chǎn)時(shí)高溫熔制過(guò)程中產(chǎn)生黑點(diǎn)氣泡等對(duì)拉制單晶硅時(shí)其穩(wěn)定性都有一定影響。　　目前坩堝生產(chǎn)涂層技術(shù)已被大多數(shù)廠家使用就是在普通石英砂溶制的坩堝表面涂上一層高純度石英砂使其形成致密層，其致密層能阻止單晶硅高溫拉制過(guò)程中硅與石英坩堝反應(yīng)提高成晶率。文章出處：http://www.lilihong9.com.cn
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